特許

J-GLOBAL ID：200903060374716431

イオンプレーティング法および装置

発明者： 笹川 孝市 ,  川又 克英 ,  大山口 まき子
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-124557
公開番号（公開出願番号）：特開平6-330293
出願日： 1993年05月27日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：

【要約】【目的】基板の汚染、不純物の混入を防止して膜の良品率を向上させる。【構成】グロー放電からアーク放電を生じさせることで生成したプラズマ23を蒸発物に照射し、該蒸発物をイオン化することで成膜を行なうイオンプレーティング法において、成膜が行われる空間の圧力を、グロー放電を起こす段階、アーク放電を起こす段階および膜が形成される段階、の3つの段階についてそれぞれ所定の値に設定する。前記空間の圧力の設定は、この空間を排気する排気手段22の排気量を調整することで行なう。

請求項（抜粋）：

グロー放電からアーク放電を生じさせることで生成したプラズマを蒸発物に照射し、該蒸発物をイオン化することで成膜を行なうイオンプレーティング法において、成膜が行われる空間の圧力を、グロー放電を起こす段階、アーク放電を起こす段階および膜が形成される段階、の3つの段階についてそれぞれ所定の値に設定することを特徴とするイオンプレーティング法。