特許

J-GLOBAL ID：200903060380782284

半導体放射線検出素子

発明者： 高浜 禎造
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052985
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259496
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】半導体素体表面上の10Bを高濃度に含むほう素薄膜中のIRドロップを少なくし、感度や分解能を上げるために必要な電界強度を確保する。【構成】半導体素体表面上のほう素薄膜にドーピングして比抵抗を低くすることによりIRドロップを下げる。さらにドーピングによりP型あるいはN型のほう素薄膜とし、半導体素体の間に形成されるヘテロ接合を素体内の空乏層生成に利用することにより、接合部とほう素薄膜との間の不感層発生を防ぐ。

請求項（抜粋）：

空乏層を生成するための接合を有する半導体素体の接合部に近接した表面にほう素の同位元素10Bを含むほう素薄膜が被着したものにおいて、10Bを含むほう素薄膜が不純物のドーピングにより比抵抗を低くされたことを特徴とする半導体放射線検出素子。

IPC (2件)：

H01L 31/09 ,  G01T 1/24

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-087680
  
• 特開昭60-240161
  
• 特開平1-151242
  
• 特開平1-164071