特許
J-GLOBAL ID：200903060383122501
半導体圧力センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298797
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153974
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】圧力感度にばらつきがなくダイアフラムの厚さを制御し、センサチップの小型化とIC回路を集積化できる半導体圧力センサおよびその製造方法を提供することにある。【構成】Si(100)ウェーハ9およびSi(110)ウェーハ8の接合面に酸化膜10を介した接合体を備え、そのSi(100)ウェーハ9の接合面とは反対の面にピエゾ抵抗体2を形成する。一方、Si(110)ウェーハ8は裏面から接合面もしくはその近傍に達する選択エッチングにより接合面に垂直な面を形成する。これにより、ウェーハ9の中央部にダイアフラム3を形成する。
請求項（抜粋）：
主軸表面の結晶方位が(100)で形成された第1のシリコンウェーハと、前記第1のシリコンウェーハとの接合面に酸化膜を介して接合され且つ主軸表面の結晶方位が(110)で形成された第2のシリコンウェーハとを備え、前記第1のシリコンウェーハの接合面とは反対の面にピエゾ抵抗体を形成し且つ前記第2のシリコンウェーハに前記接合界面もしくはその近傍に達する選択エッチングにより垂直面を形成し、前記第1のシリコンウェーハにダイアフラムを形成することを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
