特許

J-GLOBAL ID：200903060383468300

コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置

発明者： 下山 謙司 ,  後藤 秀樹
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281959
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213651
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【課題】 AlGaInN系からなる層と電極との間の抵抗値を低減することにより、特性の向上した半導体装置、特に高輝度の青又は緑色の半導体発光装置を提供する。【解決手段】 AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(x≧0.9)層と薄膜のGaPyN1-y(y≦0.1)層を交互に積層した多層膜を有することを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

AlGaInN系からなる層と電極との間に薄膜のGaPxN1-x(x≧0.9)層と薄膜のGaPyN1-y(y≦0.1)層を交互に積層した多層膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18