特許

J-GLOBAL ID：200903060387396991

マイクロ波用誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびにマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いたマイクロ波用電子部品

発明者： 伊藤 博之 ,  山下 弘直
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-011412
公開番号（公開出願番号）：特開2000-272960
出願日： 2000年01月20日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
要約：

【要約】【課題】 Q値が高く、τfが小さく、しかも1000°C以下の低温で焼成することができるマイクロ波用誘電体磁器組成物を提供する。【解決手段】 主成分がAl,Si,Srの酸化物で構成され、Al,Si,SrをそれぞれAl2O3、SiO2、SrOに換算し合計100質量%としたとき、Al2O3換算で10〜60質量%、SiO2換算で25〜60質量%、SrO換算で7.5〜50質量%のAl,Si,Srを含有し、前記合計100質量%に対し副成分として、Bi2O3換算で0.1〜10質量%のBiを含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物。

請求項（抜粋）：

主成分がAl,Si,Srの酸化物で構成され、Al,Si,SrをそれぞれAl2O3、SiO2、SrOに換算し合計100質量%としたとき、Al2O3換算で10〜60質量%、SiO2換算で25〜60質量%、SrO換算で7.5〜50質量%のAl,Si,Srを含有し、前記合計100質量%に対し副成分として、Bi2O3換算で0.1〜10質量%のBiを含有していることを特徴とするマイクロ波用誘電体磁器組成物。

IPC (6件)：

C04B 35/18 ,  H01B 3/12 326 ,  H01B 3/12 336 ,  H01B 3/12 337 ,  H01P 7/10 ,  H03H 7/075

FI (6件)：

C04B 35/18 Z ,  H01B 3/12 326 ,  H01B 3/12 336 ,  H01B 3/12 337 ,  H01P 7/10 ,  H03H 7/075 A

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭62-256758
  
• 高周波用チップコンデンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-182014   出願人：太陽誘電株式会社