特許

J-GLOBAL ID：200903060394314160

シリコン窒化膜の形成方法及び形成装置

発明者： 熊谷 武司 ,  戸原 淳志 ,  加藤 寿
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-189434
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009072
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 ほぼ化学量論比の組成を有するシリコン窒化膜を低温で形成することができるとともに、その処理速度を向上させることができるシリコン窒化膜の形成方法及び形成装置を提供する。【解決手段】 熱処理装置1の反応管2には、反応管2内にトリメチルアミンを導入する第2ガス導入管14が形成されている。第2ガス導入管14には、トリメチルアミンを加熱する加熱器15が介設されている。また、第2ガス導入管14の加熱器15の下流側には、狭径部16が形成されている。そして、加熱器15によりトリメチルアミンを550度に加熱し、加熱されたトリメチルアミンを第2ガス導入管14を介して、550度に設定された反応管2に供給する。

請求項（抜粋）：

被処理体が収容された反応室を所定の温度及び所定の圧力に設定し、該反応室内に処理ガスを供給して前記被処理体にシリコン窒化膜を形成するシリコン窒化膜の形成方法であって、前記処理ガスにシラン系ガスとトリメチルアミンとを用い、前記トリメチルアミンを前記反応室内での加熱により窒素を供給可能な温度以上に加熱し、該加熱されたトリメチルアミンを前記反応室に供給する、ことを特徴とするシリコン窒化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/31 B

Fターム (30件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA25 ,  4K030LA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB07 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F058BA20 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BC08 ,  5F058BF02 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ01