特許

J-GLOBAL ID：200903060400172135

半導体装置の製造方法

発明者： 星 淳一
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-031166
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224450
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 支持基板に中空に支えられた薄膜部を有する半導体装置の薄膜部の応力を緩和し、たわみや割れを防止した製造方法を提供する。【構成】 支持基板11に中空に支えられた薄膜部15を有する半導体装置の製造方法において、前記支持基板11上に応力を制御する膜13を形成する工程(b)と、前記工程の後、前記支持基板11の一部を除去して中空部14を形成する工程(c)と、前記中空部14の形成により生じた薄膜部15の反りを測定する工程と、前記測定された反り量に応じて、前記応力を制御する膜13の一部を除去して前記反りを調整する工程(d)と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

支持基板に中空に支えられた薄膜部を有する半導体装置の製造方法において、前記支持基板上に応力を制御する膜を形成する工程と、前記工程の後、前記支持基板の一部を除去して中空部を形成する工程と、前記中空部の形成により生じた薄膜部の反りを測定する工程と、前記測定された反り量に応じて、前記応力を制御する膜の一部を除去して前記反りを調整する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。