特許
J-GLOBAL ID：200903060406196869
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-218925
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083490
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】低電圧化を図りつつ、動作を高速化できる半導体記憶装置を提供する。【構成】メモリセルアレイ1はスタティック回路よりなる多数のメモリセル2を備える。周辺回路3はメモリセルアレイ1の所定のメモリセル2を選択してその選択されたメモリセル2のデータの読み出し及び書き込みを行うものである。周辺回路3には高電源VDD及び低電源VSSを動作電源として供給する。メモリセル2には高電源VDDを供給するとともに、データの読み出し時及び書き込み時のうち少なくともデータの読み出し時において低電源VSSよりも電位の低い基準電源Vref を供給する。
請求項（抜粋）：
スタティック回路よりなる多数のメモリセルを備えたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの所定のメモリセルを選択してその選択されたメモリセルのデータの読み出し及び書き込みを行うための周辺回路とを備えた半導体記憶装置において、前記周辺回路には高電源及び低電源を動作電源として供給し、前記メモリセルには前記高電源を供給するとともに、データの読み出し時及び書き込み時のうち少なくともデータの読み出し時において前記低電源よりも電位の低い基準電源を供給するようにした半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/413
, H01L 21/8244
, H01L 27/11
G11C 11/34 335 A
, H01L 27/10 381
