特許

J-GLOBAL ID：200903060409474274

高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、高誘電率被膜、および該高誘電率被膜を備えた電子部品

発明者： 坂本 好謙
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228684
公開番号（公開出願番号）：特開2006-045358
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、高誘電率被膜、および該高誘電率被膜を備える電子部品、特に、クラック耐性に優れた高誘電率被膜、該高誘電率被膜の製造に用いる高誘電率被膜形成用組成物、該高誘電率被膜形成用組成物の製造方法、および該高誘電率被膜備えた電子部品を提供することを課題とする。【解決手段】本発明の高誘電率被膜形成用組成物を、(A)少なくとも、 (a-1)下記一般式(1)および(2) 【化1】(式中、nは1〜5の整数を表し、R1は炭素数1〜5のアルキル基を表す。) R2Si(OR3)3 ・・・(2)(式中、R2は炭素数3以上のアルキル基を表し、R3は炭素数1〜5のアルキル基を表す。)で示されるトリアルコキシシラン化合物から選択される少なくとも1種と、 (a-2)チタンテトラアルコキシドとを含む混合物の加水分解反応による生成物と、 (B)溶剤とから構成する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)少なくとも、 (a-1)下記一般式(1)および(2)

IPC (6件)：

C09D 183/07 ,  C08G 79/00 ,  C09D 5/25 ,  C09D 7/12 ,  C09D 185/00 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

C09D183/07 ,  C08G79/00 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D185/00 ,  H01L21/316 G

Fターム (31件)：

4J030CA02 ,  4J030CC16 ,  4J030CC21 ,  4J030CD11 ,  4J030CE02 ,  4J030CE11 ,  4J030CG01 ,  4J038AA011 ,  4J038AA012 ,  4J038DL121 ,  4J038DL122 ,  4J038HA182 ,  4J038JA26 ,  4J038KA06 ,  4J038LA03 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058BA04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD07 ,  5F058BD18 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 誘電体形成用組成物、感光性誘電体形成用組成物、誘電体及び電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-190337   出願人：ジェイエスアール株式会社