特許
J-GLOBAL ID：200903060417431452
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-177887
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026691
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】半導体チップをマウントした絶縁基板の周縁部で充填材のボイド発生に起因する絶縁破壊を防止して信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体チップ5をマウントした絶縁基板4と、絶縁基板を搭載した金属ベース板1と、絶縁基板を包囲して金属ベース板に固着した上蓋付きの外囲樹脂ケース2と、外部導出端子との組立体からなり、樹脂ケースの内部をシリコーンゲルなどの充填材8で封止した半導体装置で、前記絶縁基板が絶縁板4aを挟んでその主面側に半導体チップをマウントする導体パターン4bを形成し、裏面側に被着した金属箔4cを金属ベース板にはんだ接合したものにおいて、絶縁基板の金属箔4cの周縁が絶縁板4aの周縁とが重なり合うようにして基板の裏面全域に被着し、絶縁板の周縁部における電界集中の緩和と併せて、充填材のボイド生成要因となるデッドスペースを無くして絶縁破壊を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体チップをマウントした絶縁基板と、絶縁基板を搭載した金属ベース板と、絶縁基板を包囲して金属ベース板に固着した上蓋付きの外囲樹脂ケースと、該樹脂ケースに組み込んだ外部導出端子との組立体からなり、樹脂ケースの内部を充填材で封止した半導体装置であり、前記絶縁基板が絶縁板を挟んでその主面側に半導体チップをマウントする導体パターンを形成し、裏面側に金属箔を被着した構成になり、該金属箔を金属ベース板に重ね合わせてはんだ接合したものにおいて、前記金属箔を、その周縁と絶縁板の周縁とが重なり合うようにして絶縁板の裏面全域に被着したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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