特許

J-GLOBAL ID：200903060418123980

電界効果型半導体装置およびその製造方法

発明者： 幡手 一成 ,  山口 博史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110085
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 寄生トランジスタの導通による電界効果型半導体装置の破壊を防止する。【構成】 チャネル形成領域6の内側には、n+ ソース領域5がリング状に露出したエリア5Rがある。このエリア5Rの内側においては、p形半導体領域3とn+ ソース領域5とが市松模様に相当するパターンで交互に露出している。ソース電極はエリアARにおいてn+ ソース領域5とp形半導体領域3とに接触する。ホール電流はエリア5Rを介してp形半導体領域3bに流れるが、この経路の長さは短いためにこの経路における電圧降下は小さい。このため、p形半導体領域3,n+ ソース領域5およびその下に存在するnドレイン領域で形成される寄生npnトランジスタはON状態にならない。【効果】 寄生npnトランジスタの導通による破壊が防止される。

請求項（抜粋）：

下記の(a) から(e) を備えることを特徴とする電界効果型半導体装置。(a) 下記の(a-1) から(a-3) を備える半導体基体:(a-1) 前記半導体基体の上主面に露出する第1導電形式の第1の半導体領域;(a-2) 前記第1の半導体領域の上面部分に選択的に形成され、前記半導体基体の前記上主面に選択的に露出する第2導電形式の第2の半導体領域;(a-3) 前記第2の半導体領域の上面部分に選択的に形成され、前記第2の半導体領域の露出面の辺縁部分の内側で露出するリング状露出エリアと、前記リング状露出エリアの内側において前記第2の半導体領域と交互に露出して前記半導体基体の前記上主面の上に交互露出パターンとを形成する第1導電形式の第3の半導体領域;(b) 前記半導体基体の前記上主面の上に選択的に形成されて、交互露出パターンの一部を覆う所定エリアの上にウインドウを有する絶縁層;(c) 前記絶縁膜の中に埋設されて、前記第2の半導体領域の露出面の前記辺縁部分に対向する制御電極層;(d) 前記ウインドウの中に形成されて、前記所定エリアにおいて前記交互露出パターンに接触する第1の主電極層;(e) 前記半導体基体の下主面の上に形成された第2の主電極層。