半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186180
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009082
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の逆回復特性の向上と逆漏れ電流の低減の双方を達成する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板の両面に、一対のカソード電極およびアノード電極を有し、前記カソード電極にコンタクトしている第1導電型カソード層と、前記第1導電型カソード層に隣接し、かつカソード層よりも低不純物濃度である第1導電型ドリフト層と、前記第1導電型ドリフト層と前記アノード電極とがショットキー接合をなしている第1積層構造と、前記第1導電型ドリフト層にトレンチ溝を有し、前記トレンチ溝の底部に隣接して前記第1導電型ドリフト層に第2導電型拡散層を有し、前記第2導電型拡散層と前記アノード電極とが電気的に接続される第2積層構造と、を備え、前記第1積層構造と前記第2積層構造とが並列に配置される半導体装置において、前記トレンチ溝の側壁に絶縁膜が被着され、前記第2導電型拡散層が前記トレンチ溝内に埋め込まれた導電性ポリシリコンにより前記アノード電極と接続される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の両面に、一対のカソード電極およびアノード電極を有し、前記カソード電極にコンタクトしている第1導電型カソード層と、前記第1導電型カソード層に隣接し、かつカソード層よりも低不純物濃度である第1導電型ドリフト層と、前記第1導電型ドリフト層と前記アノード電極とがショットキー接合をなしている第1積層構造と、前記第1導電型ドリフト層にトレンチ溝を有し、前記トレンチ溝の底部に隣接して前記第1導電型ドリフト層に第2導電型拡散層を有し、前記第2導電型拡散層と前記アノード電極とが電気的に接続される第2積層構造と、を備え、前記第1積層構造と前記第2積層構造とが並列に配置される半導体装置において、前記トレンチ溝の側壁に絶縁膜が被着されることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/329 , H01L 21/265 , H01L 21/265 604 , H01L 29/872 , H01L 29/861 , H01L 29/93

FI (6件)：

H01L 21/265 604 X , H01L 29/93 S , H01L 29/91 A , H01L 21/265 P , H01L 29/48 F , H01L 29/91 C

Fターム (8件)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB40 , 4M104CC03 , 4M104FF35 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG18

前のページに戻る