特許

J-GLOBAL ID：200903060421149753

ポリオレフインの製造方法

発明者： 宮 新也 ,  三瀬 孝也 ,  山崎 博史
出願人/特許権者： チツソ株式会社 ,  理化学研究所
代理人 (1件)： 野中 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-301108
公開番号（公開出願番号）：特開平5-112611
出願日： 1991年10月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 通常用いられる構造の簡単な置換基を有する非架橋型遷移金属化合物とアルミノキサンを用いるアイソタクチック配列単位の多いポリオレフィンの製造方法を提供すること。【構成】 化1で表される遷移金属化合物(MはIVB族の遷移金属を示す。nは1〜2の整数であり、R1 ,R2 の種類及び位置は、該置換シクロペンタジエニル基の回転を妨げるように選択され、R1,R2 は隣合う位置にないものとする。)及び化2または化3(mは4〜30の整数で、R3 は炭化水素基を示す。)で表されるアルミノキサンを有効成分とするアイソタクチック配列単位の多いポリオレフィンの製造方法。【化1】【化2】【化3】【効果】 シクロペンタジエニル環の回転が妨げられるように置換基が配置された配位子を有する非架橋型遷移金属化合物を用いる本発明の触媒を使用することにより、常温の重合でアイソタクチック配列単位の多いポリオレフィンを製造することができる。

請求項（抜粋）：

(A)一般式(1)【化1】で表される遷移金属化合物、(但し、Mはチタン、ジルコニウムまたはハフニウムの遷移金属を示す。R1nR2 - C5 H4-n は置換シクロペンタジエニル基を示し、n は1〜2の整数である。R1,R2 の種類及び位置は、該置換シクロペンタジエニル基の回転を妨げるように選択され、R1 は同一でも異なっていてもよく、メチル基、エチル基であり、R2 はトリアルキルシリル基、炭素数3以上の炭化水素基を示す。R1、R2 のシクロペンタジエニル環上の位置は、R1 とR2が隣合う位置にないものとする。また、Xは同一でも異なっていてもよく、水素、ハロゲンまたは炭化水素基を示す。)及び(B)一般式(2)【化2】または一般式(3)【化3】(但し、mは4〜30の整数で、R3 は炭化水素基を示す。)で表されるアルミノキサンを有効成分とする触媒の存在下でオレフィンを重合せしめることを特徴とするアイソタクチック配列単位の多いポリオレフィンの製造方法。

IPC (2件)：

C08F 10/00 ,  C08F 4/642 MFG