半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374254
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174165
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】サージが印加されたときのツェナーダイオード群の動作抵抗を低減させ、かつ、ブレークダウン時のコーナー部における外周耐圧部の電流密度を低減させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】フィールドプレートが備えられた外周耐圧部において、直線部B1では、セル部から外周に向かう方向で複数のツェナーダイオード群18a〜18eが順に配置され、セル部のゲート電極に電気的に接続されたフィールドプレート17aから半導体基板1に電気的に接続されたフィールドプレート17gとの間でツェナーダイオード群18a〜18eが階段状に接続されている構造とする。また、コーナー部B2では、最内周側のフィールドプレート17aとその隣のフィールドプレート17bとがツェナーダイオード群18aを介さずに電気的に接続されている構造とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)に、半導体素子が形成されたセル部(A)と、該セル部の外周に配置された外周耐圧部(B)とを備えてなる半導体装置において、前記外周耐圧部には、前記半導体基板と電気的に接続されている最外周側のプレート(17g)と、前記セル部に形成されたゲート電極(7)と電気的に接続されている最内周側のプレート(17a)とを含む導電性の複数のフィールドプレート(17a〜17g、33a〜33f)が形成されており、前記外周耐圧部は、直線部(B1)とコーナー部(B2)とを有し、前記直線部では、前記複数のフィールドプレートのうち隣接するフィールドプレートの間にツェナーダイオード群(18a〜18e)が形成されて、フィールドプレートと前記ツェナーダイオード群とにより前記最外周側のプレート(17g)と前記最内周側のフィールドプレート(17a)との間で一方向に延びるパターンを形成し、このパターンが前記直線部の外周に沿った方向で順次ずれて配置されており、前記コーナー部では、前記複数のフィールドプレート(17a〜17g)が、前記セル部から半導体基板の外周に向かう方向で順に並んで配置され、それぞれの一端は前記直線部のツェナーダイオード群と接続され、それぞれの他端は前記直線部のフィールドプレートと接続されており、前記最内周側のフィールドプレート(17a)とその隣のフィールドプレート(17b)とが、前記ツェナーダイオード群を介することなく電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 655 , H01L 29/78 657 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (5件)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 655 F , H01L 29/78 657 A , H01L 27/08 102 E

Fターム (12件)：

5F048AA02 , 5F048AA05 , 5F048AC10 , 5F048BA05 , 5F048BB05 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BC12 , 5F048BD07 , 5F048CC06 , 5F048CC11 , 5F048CC15

前のページに戻る