特許
J-GLOBAL ID:200903060435338737

半導体メモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-181327
公開番号(公開出願番号):特開平6-028873
出願日: 1992年07月08日
公開日(公表日): 1994年02月04日
要約:
【要約】【目的】 メモリ容量の増大に伴うチップ面積の拡大を抑制する。【構成】 メモリセルへのデータ書き込み時に、不純物注入量の異なる数種類のメモリセルを設定し、データに応じて不純物を注入する。データを読み出す際、各々の不純物注入量に応じた電流を発生するリファレンス回路2,4,6と、電流比較回路1,3,5と、データ検出回路7とにより1個のトランジスタより複数のデータを読み出す。
請求項(抜粋):
メモリセルと、リファレンス回路と、電流比較回路と、データ検出回路とを有し、メモリセルへのデータ書き込みを、メモリセルのチャンネル領域に不純物を注入して、ON電流を設定することにより行う半導体メモリであって、メモリセルは、不純物注入量の異なる複数種のものが備えられており、リファレンス回路は、各不純物注入量に応じた基準値を出力するものであり、電流比較回路は、リファレンス回路の出力とメモリセルのON電流とを比較するものであり、データ検出回路は、電流比較回路の出力を入力として、データを出力するものであることを特徴とする半導体メモリ。
IPC (2件):
G11C 16/04 ,  H01L 27/10 481

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