特許

J-GLOBAL ID：200903060437187507

半導体発光素子の製造方法

発明者： 伊藤 茂稔 ,  小河 淳 ,  津田 有三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 佐々木 晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-033107
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237660
出願日： 2001年02月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 N以外のV族元素を構成元素としてもつ窒化物系半導体を発光層に含む発光素子においては、発光素子成長中の発光層の劣化が問題であった。【解決手段】 本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上に、第1導電型窒化物系半導体層を成長する第1の工程と、N以外のV族元素を構成元素として含む窒化物系半導体を有する発光層を温度T1を含む成長温度で成長する第2の工程と、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0.05≦a≦1)からなる変性防止層を温度T2を含む成長温度で成長する第3の工程と、第2導電型窒化物系半導体層を温度T3(T1<T3,T2<T3)を含む成長温度で成長する第3の工程とを、この順に有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、第1導電型窒化物系半導体層を成長する第1の工程と、N以外のV族元素を構成元素として含む窒化物系半導体を有する発光層を温度T1を含む成長温度で成長する第2の工程と、Al<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0.05≦a≦1)からなる変性防止層を温度T2を含む成長温度で成長する第3の工程と、第2導電型窒化物系半導体層を温度T3(T1<T3,T2<T3)を含む成長温度で成長する第3の工程とを、この順に有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

Fターム (29件)：

5F045AA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F073AA42 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA31 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28