特許
J-GLOBAL ID：200903060442436906
炭化ケイ素質ダミーウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-062614
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256108
出願日： 1997年03月17日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 反りが少なく、生産性の向上及び製作コストの低減化という長所を生かしながら、さらに半導体製造時における半導体の汚染の程度をシリコン製ダミーウェハの場合よりも大幅に少なくすることができるSiC質ダミーウェハを提供する。【解決手段】 半導体プロセスにおいて使用されるSiC質ダミーウェハにおいて、多孔質SiC基体の表面に内側から外側へ向けて順に、CVD-Si膜及びCVD-SiC膜が積層形成したものである。
請求項（抜粋）：
半導体プロセスにおいて使用される炭化ケイ素質ダミーウェハにおいて、多孔質炭化ケイ素基体の表面に内側から外側へ向けて順に、CVD(Chmical Vapor Deposition) 法によるケイ素膜及びCVD法による炭化ケイ素膜が積層形成されてなることを特徴とする炭化ケイ素質ダミーウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 21/205
