特許

J-GLOBAL ID：200903060442921057

SiGeとMoSi2 の接合方法

発明者： 平井 章三 ,  藤谷 泰之
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 塚本 正文 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337847
公開番号（公開出願番号）：特開平9-157053
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月17日
要約：

【要約】【課題】 SiGeとMoSi2 の接合が可能となり、ひいてはSiGeを熱電変換素子としMoSi2 を電極材料とするSiGe・MoSi2 からなる熱電変換モジュールを製造することができる。【解決手段】 SiGe1とMoSi2 5を接合するにあたり、両者の間にSiGe1の側からGe2,W3,Zr-Ni合金4の順ではさみ込み、真空中でZr-Ni合金4の融点以上に加熱する。

請求項（抜粋）：

SiGeとMoSi2 を接合するにあたり、両者の間にSiGe側からGe,W,Zr-Ni合金の順ではさみ込み、真空中でZr-Ni合金の融点以上に加熱することを特徴とするSiGeとMoSi2 の接合方法。

IPC (6件)：

C04B 37/00 ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 ,  B23K 20/00 310 ,  B23K 20/00

FI (6件)：

C04B 37/00 B ,  H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  H02N 11/00 A ,  B23K 20/00 310 L ,  B23K 20/00 310 M