特許
J-GLOBAL ID：200903060447558066
半導体装置の過電圧制限回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295792
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147726
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】高速スイッチングを行う場合にも過電圧の制限機能が得られ、かつ過電圧制限時に流せるサ-ジ電流が大きい過電圧制限回路を得る。【構成】インダクタンス2に流れる電流をインダクタンスに直列接続されてオンオフ制御する半導体装置1のタ-ンオフ時における過電圧の制限回路10が、半導体装置の主端子にカソ-ドが接続された過電圧検知ダイオ-ド11と、過電圧が過電圧検知ダイオ-ドの降伏電圧を越えたとき動作してLow レベルの信号L1 およびHighレベルの信号H1 を同時に出力する過電圧検出回路12と、Lowレベル信号を受けて半導体装置のタ-ンオフ動作を一時停止する指令をドライブ回路4に向けて出力するプリドライブ回路13と、Highレベルの信号を受けて半導体装置を一時的に動作させる定電圧を半導体装置の制御端子に向けて出力する過電圧入力動作回路15とを備える。
請求項（抜粋）：
主直流電源およびインダクタンスに流れる電流を前記主直流電源およびインダクタンスに直列接続されてオンオフ制御する半導体装置の、タ-ンオフ時に発生する過電圧の制限回路であって、前記半導体装置がオン用・オフ用一対のスイッチング素子の直列回路からなるドライブ回路により駆動されるものにおいて、前記半導体装置の主端子にカソ-ドが接続された過電圧検知ダイオ-ドと、過電圧が過電圧検知ダイオ-ドの降伏電圧を越えたとき動作してLow レベルおよびHighレベルの信号を同時に出力する過電圧検出回路と、前記Low レベルの信号を受けて前記半導体装置のタ-ンオフ動作を一時停止する指令をドライブ回路に向けて出力するプリドライブ回路と、前記Highレベルの信号を受けて前記半導体装置を一時的に動作させる定電圧を半導体装置の制御端子に向けて出力する過電圧入力動作回路とを備えてなることを特徴とする半導体装置の過電圧制限回路。
IPC (4件)：
H02H 7/12
, H02M 3/28
, H03K 17/08
, H03K 17/567
