半導体圧力センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045141
公開番号（公開出願番号）：特開平10-239194
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】ピエゾ抵抗の抵抗値を容易に調整することのできる半導体圧力センサを提供する。【解決手段】ダイヤフラムを有して成る半導体基板(図示せず)のダイヤフラム上に複数のピエゾ抵抗素子1を形成し、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を用いて各ピエゾ抵抗素子1の端末部にコンタクト孔2を形成し、アルミニウム(Al)等の金属配線3により半導体圧力センサの配線を行う際に、同時にピエゾ抵抗素子1が並列接続となるように、コンタクト孔2を介して導体層としての金属配線3により電気的に接続する。その後、定格の駆動電圧,電流の値と、所望の出力電圧値より求められる必要なピエゾ抵抗の抵抗値になるように、ピエゾ抵抗素子1を並列接続している金属配線3の所望の箇所をレーザーによりトリミングを行う。

請求項（抜粋）：

ダイヤフラムを有する半導体基板と、該ダイヤフラム上に形成された複数のピエゾ抵抗素子と、該ピエゾ抵抗素子に電気的に接続された金属配線とを有して成る半導体圧力センサにおいて、前記ピエゾ抵抗素子を導体層により並列接続するようにしたことを特徴とする半導体圧力センサ。

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