特許
J-GLOBAL ID：200903060453204853
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-009004
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266355
出願日： 1997年01月21日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 しきい値電流密度が小さく、かつ高い歩留まりで製造できる窒素を含むIII-V族化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 本発明による半導体発光素子は、シリコン基板1と、該シリコン基板1の上に形成され、活性層6と該活性層の上下に設けられた1対のミラー構造4、8とを有する面発光構造体15であって、該活性層6および該ミラー構造4、8は、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている、面発光構造体15と、を備えている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、該シリコン基板の上に形成され、活性層と該活性層の上下に設けられた1対のミラー構造とを有する面発光構造体であって、該活性層および該ミラー構造は、窒素を含むIII-V族化合物半導体から形成されている、面発光構造体と、を備えた半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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