特許

J-GLOBAL ID：200903060457248707

アルミニウム-セラミックス複合基板の製造方法

発明者： 小川 裕司 ,  小坂 満弘
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308688
公開番号（公開出願番号）：特開平9-188573
出願日： 1996年11月05日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【目的】 簡易な手段でアルミニウムとセラミックス基板を接合できるアルミニウム-セラミックス複合基板の製造方法を提供する。【構成】 セラミックス基板1としてAlN基板(62mm×112mm×0.635mm厚)を加熱炉中にて850°Cの一定温度に40分間保持した後、AlN基板の底面にアルミニウム平板(52mm×102mm×1.0mm厚)を配置し、一方、AlN基板の上面には予め図1の形状に成形してある回路状アルミニウム板2を4組配置してN2 ガス雰囲気下で5分間接触させる。次いでこれらの接触体をプレスに平行移動させ、10g/mm2 の圧力をかけて、接触面の酸化膜を破り、純アルミニウム溶体を接触面に沿って拡散させ、接合体を得る。接合後の強度は市販の基板と同程度であり、従来法に比べて生産コストを大幅に低下させる効果がある。

請求項（抜粋）：

セラミックス基板を予め660°C以上に加熱せしめる第一工程と、次いで不活性ガス雰囲気中で加熱されたセラミックス基板の少なくとも一面にアルミニウム板を接触させて、該接触面の一部を溶解させた後、アルミニウムの酸化被膜を破るために加圧接合させる第二工程とから成ることを特徴とするアルミニウム-セラミックス複合基板の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 37/02 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/38

FI (3件)：

C04B 37/02 C ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/38 D