特許

J-GLOBAL ID：200903060462229273

誘電体積層膜

発明者： 寺門 正倫 ,  斉藤 裕
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-310107
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161833
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【構成】半導体集積回路装置の容量絶縁膜を高誘電率の薄膜をチタニウムの酸化物ではさんだ構成とした。【効果】本発明により、半導体集積回路装置用誘電体薄膜の形成において該誘電体膜のリーク電流を減少させかつ電荷を多く蓄積できる。本発明は誘電体薄膜を形成する際、該高誘電率薄膜とTiの酸化膜層を積層させて形成することによって、前記高誘電率薄膜に所望の電荷を蓄積させ、かつ前記Tiの酸化膜層によりリーク電流を減少させるような2つの効果を同時に与える。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路装置の容量絶縁膜において、チタニウム(以下Tiと記す)の酸化膜上にTi及び酸素を含む高誘電率材料を積層したことを特徴とする誘電体積層膜。

IPC (8件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371