特許
J-GLOBAL ID：200903060463827751
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-080170
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315332
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】上層に形成する絶縁膜と良好な密着性を有する配線を形成する。【構成】マスク膜を用いた選択メッキ法により金配線を形成した後、この金配線上に第3導電膜としてCr膜7を形成し、さらに熱処理を施して金配線の周囲に絶縁膜との密着性、耐食性、耐熱性の高い反応層8を形成し、未反応のCr膜を除去し、その上層にシリコン酸化膜9を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上に順次設けられた第1導電膜と第2導電膜と金属メッキ膜とからなる配線と、この配線を構成する少くとも前記金属メッキ膜の上面と側面に設けられた反応層とを含むことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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