特許

J-GLOBAL ID：200903060465903480

電界効果トランジスタ

発明者： 小橋 昌浩 ,  渡邉 朗
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-223017
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063975
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】有機半導体を用いた電界効果トランジスタであって、より高い移動度と、高いon電流及び低いリーク電流と、高いon/off比とを有する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】絶縁体層3と、この絶縁体層3により隔離されたゲート電極2及び有機半導体層4と、この有機半導体層4に接するように設けられたソース電極5及びドレイン電極6を、絶縁性支持基板上1に有する電界効果トランジスタ。絶縁体層3と有機半導体層4との界面7の平均粗さを50nm以下とすることにより、誘起電荷が移動する該界面近傍の有機半導体分子の配列の乱れを効果的に抑制し、より高い移動度と、高いon電流及び低いリーク電流と、高いon/off比とを実現する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁体層と、該絶縁体層により隔離されたゲート電極及び有機半導体層と、該有機半導体層に接するように設けられたソース電極及びドレイン電極と、絶縁性支持基板とを有する電界効果トランジスタにおいて、 該絶縁体層と該有機半導体層との界面の平均粗さが50nm以下であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28

Fターム (49件)：

5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG60 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK31 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36