特許
J-GLOBAL ID：200903060475410759
ガスセンサ素子及びその製造方法,再生方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 祥泰 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-307491
公開番号（公開出願番号）：特開2003-247972
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 超早期活性のガスセンサ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 部分安定化ジルコニア製の固体電解質体11と該固体電解質体11に設けた一対の電極141,151よりなる電気化学セル10を1つ備えた1セル型のガスセンサ素子1を製造するにあたり,一対の電極141,151を介して上記電気化学セル10に直流電流を通電するエージング処理を行い,エージング処理における直流電流の電圧Vは,電気化学セル10の限界電流値における最大電圧をV2とするとV2≦V≦2V2である。また,ガスセンサ素子1の一対の電極141,151に挟まれた箇所の固体電解質体11は変色部を有する。
請求項（抜粋）：
部分安定化ジルコニア製の固体電解質体と該固体電解質体に設けた一対の電極よりなる電気化学セルを少なくとも1つ備えたガスセンサ素子を製造するにあたり,上記一対の電極を介して上記電気化学セルの少なくとも1つに直流電流を通電するエージング処理を行い,上記エージング処理における直流電流の電圧Vは,上記電気化学セルの限界電流域における最大電圧をV2とすると,V2≦V≦2V2であることを特徴とするガスセンサ素子の製造方法。
FI (5件)：
G01N 27/46 325 Z
, G01N 27/46 325 E
, G01N 27/46 325 G
, G01N 27/46 325 K
, G01N 27/46 325 N
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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