特許

J-GLOBAL ID：200903060479422751

半導体ウェーハの研磨方法およびその装置

発明者： 酒井 慎介
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-183350
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017760
出願日： 1995年06月26日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハ周辺部に角だれが生じない研磨を提供する。半導体ウェーハ表面の研磨でのスループットを高める。【構成】 研磨定盤11の下面に形成した凹所12に軟質のバックパッド13を介して半導体ウェーハ14を挿入する。保持リング15で半導体ウェーハ14を装着する。半導体ウェーハ14の表面は、保持リング15の表面から5〜50μmだけ突出して位置させる。研磨する半導体ウェーハ14の厚さに対応した厚さの保持リング15を使用する。用意した各保持リング15の厚さバラつきは1μm以下に管理しておく。研磨布である硬質パッド16・研磨定盤11を回転させ、硬質パッド16を半導体ウェーハ14表面に所定の荷重で押し付ける。半導体ウェーハ14は沈み込み、保持リング15の表面と半導体ウェーハ14の表面とは略同一の水平面を構成して研磨される。

請求項（抜粋）：

研磨定盤表面に軟質のバックパッドを介して重ねた半導体ウェーハを保持リングによって保持し、この半導体ウェーハ表面を硬質パッドで研磨する半導体ウェーハの研磨方法であって、上記硬質パッドを摺接させて半導体ウェーハ表面を研磨する場合、この半導体ウェーハ表面と上記保持リングの表面とが略同一面を構成する半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/304 321 E ,  B24B 37/04 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-022657
  
• 特開昭49-125995