特許

J-GLOBAL ID：200903060480373535

シリコンウエハの製造方法

発明者： 松下 純一 ,  吉川 淳 ,  真田 昌之 ,  清水 達也
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-159209
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008264
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 ウエハ表面に不良を発生することなく、ウエハを水素含有ガス雰囲気中で熱処理可能なシリコンウエハの製造方法を提供する。【構成】 炉内を、ウエハ炉入れ時の大気雰囲気,置換ガス雰囲気,水素含有ガス雰囲気,置換ガス雰囲気,ウエハ炉出し時の大気雰囲気の順で、変化させてシリコンウエハを熱処理する際に、置換ガスとして2.57ppm以下の水分量の高純度不活性ガスを用いることにより、熱処理前後のウエハ表面の活性度を低下させる。

請求項（抜粋）：

シリコンウエハを熱処理炉内で水素含有ガス雰囲気中で熱処理をするにあたり、炉内を、ウエハ炉入れ時の大気雰囲気、置換ガス雰囲気、水素含有ガス雰囲気、置換ガス雰囲気、ウエハ炉出し時の大気雰囲気の順で、炉内雰囲気を変化させるシリコンウエハの製造方法において、2.57ppm以下の水分量を含有する高純度不活性ガスを置換ガスとして用いることを特徴とするシリコンウエハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-167433