特許
J-GLOBAL ID：200903060486082222
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215307
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055371
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置のダイシングラインの交差点がフォトレジストなどの溶剤を塗布する際に、塗布ムラの原因となる特異点とならないような半導体装置の製造方法を得る。【構成】 ダイシングラインの凹状部2にダミーパターン3を作ることにより、ダイシングラインの凸状部1の角や段差の影響を減らした後、フォトレジスト6を塗布することにより、溶剤の塗布ムラの原因がなくなるため、少ない溶剤で精度の高いものが得られることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
ダイシングラインが形成されたウエハ上に溶剤を塗布する工程を含む半導体装置の製造方法において、特異点となりやすいダイシングラインの交差点の角や段差の影響をなくすためのダミーパターンを形成した後、前記溶剤を塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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