半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298042
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118855
出願日： 1999年10月20日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】従来技術では、ベース電極部形成の為のエッチングをおこなう際に、ポリシリコンと単結晶シリコンとの積層構造のエッチングとなるので、デバイス部がオーバーエッチングされる。この為、デバイス特性のバラツキを生じていた。本発明はこの課題を解決することを目的とする。【解決手段】コレクタ領域5上方に、ベース引き出し電極9となる単結晶シリコンをエピタキシャル成長させてから、ベース引き出し電極9に対してセルフアライン的にエミッタ領域13、ベース領域11を形成する。その為、安定した形状のデバイスス部を有するトランジスタを提供する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜、この第1の絶縁膜上に設けられた第1の単結晶シリコン層から成るSOI基板上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の単結晶シリコン層に、第1導電型の不純物イオン注入を用いて第1導電型の領域を形成する工程と、前記第1導電型の領域上に、第3の絶縁膜を堆積する工程と、前記第3の絶縁膜内に開口部を形成し、前記第1導電型の領域を露出する工程と、前記開口部内に、第2導電型の不純物を添加した第2の単結晶シリコン層を堆積させる工程と、前記第2の単結晶シリコン層上に第4の絶縁膜を形成する工程と、第2導電型の不純物を前記第2の単結晶シリコン層にイオン注入することにより、前記第2の単結晶シリコン層上部に第2導電型の領域を形成する工程と、前記第3の絶縁膜を除去する工程と、素子形成予定領域以外の前記第1導電型の領域を除去することにより、素子分離を施す工程と、前記第2の単結晶シリコン層、第4の絶縁膜、前記第2導電型の領域、及び前記第1導電型の領域表面に第5の絶縁膜を形成する工程と、選択的にベース形成予定領域上に第2導電型の不純物をイオン注入し、前記第1導電型の領域内にベース領域を形成する工程と、第6の絶縁膜を前記第5の酸化膜上に堆積する工程と、前記第2の単結晶シリコン層、及び前記第2導電型の領域側面の前記第6の絶縁膜を残し、側壁絶縁膜とする工程と、前記ベース領域内に、前記側壁絶縁膜をマスクとして第1導電型の不純物を選択的にイオン注入し、ベース領域中にエミッタ領域を形成し、残ったベース領域と隣接させて形成する工程と、前記第1導電型の領域内に、前記側壁絶縁膜をマスクとして第1導電型の不純物を選択的にイオン注入し、コレクタ領域を形成する工程とを具備する半導体装置の製造方法

IPC (2件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73

Fターム (21件)：

5F003AP00 , 5F003AP05 , 5F003AZ03 , 5F003BA11 , 5F003BB02 , 5F003BB06 , 5F003BB08 , 5F003BB90 , 5F003BC01 , 5F003BF03 , 5F003BG03 , 5F003BH18 , 5F003BH93 , 5F003BH99 , 5F003BM01 , 5F003BN01 , 5F003BP21 , 5F003BP33 , 5F003BP94 , 5F003BS05 , 5F003BS08

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