特許
J-GLOBAL ID：200903060488057411
電界放出型電子源
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227059
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067426
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 製造が容易でありかつ高集積化に適している、ゲートキャパシタンスの低減化を計った電界放出型電子源を提供する。【構成】 高抵抗半導体であるノンドープSi基板24の表面に、P(リン)がドープされたn型低抵抗層によりなる複数の帯状の冷陰極基板電極25が互いに並んで形成されており、帯状の各冷陰極基板電極25上には、表面積を大きくするために側面断面がウェッジ形状をしている複数の電界放出型冷陰極21がリニアアレイ状に形成されている。ノンドープSi基板24の表面上には、電界放出型冷陰極21の位置する領域を含む長孔26を除いて、絶縁層23を介在して電界放出型冷陰極21の高さとほぼ同一のレベルの高さで、ゲート電極22が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板と対向して設けられた少なくとも1つのゲート電極と、前記半導体基板の該ゲート電極と対向する表面の一部分に形成されかつ前記半導体基板に電気的に接続されており、前記半導体基板より小さい抵抗を有する少なくとも1つの冷陰極基板電極と、該冷陰極基板電極上に形成されており、該冷陰極基板電極を介して前記半導体基板に電気的に接続された少なくとも1つの電界放出型冷陰極とを備えたことを特徴とする電界放出型電子源。
IPC (2件)：
引用特許：
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