特許

J-GLOBAL ID：200903060502814506

薄膜生成装置の後処理方法およびその装置

発明者： 寺井 学 ,  田畑 剛 ,  丹沢 謙一 ,  千村 信
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-177788
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037881
出願日： 1993年07月19日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 薄膜生成装置における歩留りの向上と稼働率の向上を達成する。【構成】 半導体ウエハWは反応容器1の反応室3内で薄膜が生成される。所定のインターバルで反応容器1内には後処理ガスを供給すると、薄膜生成時に反応容器1内に堆積された薄膜の表面には、薄膜よりも硬度が低い応力吸収層が形成されるので、繰り返して薄膜生成作業を行うと、薄膜と応力吸収層とが交互に積層されることになる。これにより、薄膜が熱収縮してもその応力が吸収されて、薄膜の剥離が防止されるとともに、反応容器1の洗浄作業の頻度を少なくさせて操作の稼働率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを反応容器内に収容した状態のもとで前記反応容器内に反応ガスを供給して前記半導体ウエハの表面に薄膜を生成した後に、前記反応容器を後処理ガスにより処理し、前記半導体ウエハへの薄膜生成時に前記反応容器に付着生成された薄膜の表面に、前記薄膜よりも硬度が低い応力吸収層を積層することを特徴とする薄膜生成装置の後処理方法。