特許
J-GLOBAL ID：200903060506508264
アクティブマトリクス基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077697
公開番号（公開出願番号）：特開平7-287248
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極とドレイン電極との重畳部に形成される寄生容量が近接領域の各絵素について一定となるパターン形成を、1回のエッチングで行う。【構成】 薄膜トランジスタ4のドレイン電極7のコンタクト層7cのパターン形成において、ポジ型の画像反転対応フォトレジストを用いてポジ型の特性にて、ソース電極6およびドレイン電極7のコンタクト層6c,7cのレジストパターンをハードベーク処理なしで一括形成後、絶縁性基板11の裏面より露光してゲート電極3による整合露光を行い、画像反転処理によりネガ型の画像反転対応フォトレジストの特性にて、ソース電極6とドレイン電極7のコンタクト層6c,7cを分離するレジストパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
透光性の絶縁性基板上に、マトリクス状に遮光性ゲートバス配線を形成し、該ゲートバス配線上、または、該ゲートバス配線から分岐した遮光性のゲート電極上に薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタのドレイン電極に絵素電極を電気的に接続したアクティブマトリクス基板の製造方法であって、該薄膜トランジスタのドレイン電極のパターン形成において、ポジ型の画像反転対応フォトレジストを用いてポジ型の特性にて、ソース電極とドレイン電極のレジストパターンをハードベーク処理なしで一括形成後、該絶縁性基板の裏面より露光して該ゲート電極による整合露光を行い、画像反転処理によりネガ型の特性にて、該ソース電極とドレイン電極を分離するレジストパターンを形成する工程を含むアクティブマトリクス基板の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
