半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-182110
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010765
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】メモリセルのメモリキャパシタの工程劣化を防止すべくダミーキャパシタを設けるも、高集積化を何等妨げることなく、しかも平滑キャパシタの経時絶縁破壊を可及的に防止する、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】周辺回路領域2は、メモリセル領域1の周囲を囲み、メモリセル領域1を外部から遮蔽するように複数の第1の平滑キャパシタ21が配設されてなる第1の平滑キャパシタ領域12と、メモリセル領域1から離間した部位で複数の第2の平滑キャパシタ22が配設されてなる第2の平滑キャパシタ領域13とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上で、情報が記憶される第1のキャパシタを有するメモリセルが複数配されてなるメモリセル領域と、前記半導体基板上で、平滑キャパシタとして機能するように接続された第2のキャパシタが前記メモリセル領域を囲むように複数配されてなる平滑キャパシタ領域とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2件)：

H01L27/10 481 , H01L27/10 444B

Fターム (30件)：

5F083FR02 , 5F083GA21 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA43 , 5F083JA44 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR09 , 5F083PR16 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F083PR45 , 5F083PR46 , 5F083PR47 , 5F083PR48 , 5F083PR52 , 5F083PR56 , 5F083ZA28

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-061626 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-241122 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (8件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-335763 出願人：株式会社ルネサステクノロジ
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-226451 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-106663 出願人：三菱電機株式会社

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