特許

J-GLOBAL ID：200903060514015650

半導体製造方法および装置

発明者： 石田 泰庸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333719
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181046
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 真空処理容器の内面に付着する付着物の量を低減するとともに、付着物の膜剥がれを抑えて被処理物の歩留りを向上させる。【解決手段】 外部8と遮断されかつ内部2aに真空雰囲気を形成可能な真空処理容器2と、真空処理容器2の内部2aの排気を行う真空ポンプ4と、真空処理容器2の内部2aに三塩化ホウ素などの処理ガス5を供給するガス供給手段6と、真空処理容器2の温度を所定温度に保つ容器温度制御手段7と、マイクロ波3aを発振するマグネトロン3とからなり、処理ガス5を用いて半導体ウェハ1にエッチング処理を行い、さらに、容器温度制御手段7によって処理中および待機中の真空処理容器2の温度を所定温度に保つ。

請求項（抜粋）：

処理ガスを用いて被処理物を処理する半導体製造方法であって、前記被処理物の処理を行う真空処理容器の温度を温度検出器によって検知し、前記温度検出器が検知した温度値に基づいて前記真空処理容器を加熱または冷却することにより、前記真空処理容器の温度を所定温度に保つことを特徴とする半導体製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/00 ,  C23C 14/35 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (8件)：

H01L 21/302 E ,  C23C 14/00 B ,  C23C 14/35 F ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B