特許

J-GLOBAL ID：200903060515165701

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 松野 知之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-353155
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183190
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】浮遊ゲート電極のポリシリコン層及び制御ゲート電極のポリシリコン層の不純物濃度を制御することによって、カップリング比を増大させ、書き込み電圧を低電圧化した不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に不純物を含有する第1のポリシリコン層を有する浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に不純物を含有する第2のポリシリコン層を有する制御ゲート電極と、前記制御ゲート電極上に第3の絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記第1のポリシリコン層は、前記第1の絶縁膜側よりも前記第2の絶縁膜側の方が高い濃度の不純物を含有するポリシリコンにより形成されている不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に不純物を含有する第1のポリシリコン層を有する浮遊ゲート電極と、前記浮遊ゲート電極上に第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に不純物を含有する第2のポリシリコン層を有する制御ゲート電極と、前記制御ゲート電極上に第3の絶縁膜を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記第1のポリシリコン層は、前記第1の絶縁膜側よりも前記第2の絶縁膜側の方が高い濃度の不純物を含有するポリシリコンにより形成されている、不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (37件)：

5F001AA25 ,  5F001AA30 ,  5F001AA43 ,  5F001AA63 ,  5F001AB08 ,  5F001AB09 ,  5F001AC02 ,  5F001AD12 ,  5F001AD18 ,  5F001AE02 ,  5F001AF07 ,  5F001AF10 ,  5F001AG22 ,  5F083EP06 ,  5F083EP23 ,  5F083EP42 ,  5F083EP55 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER03 ,  5F083ER21 ,  5F083GA05 ,  5F083GA17 ,  5F083GA21 ,  5F083GA22 ,  5F083GA30 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR29 ,  5F083PR36