特許

J-GLOBAL ID：200903060518307191

シリコン単結晶の製造装置

発明者： 内藤 俊太 ,  大久保 正道 ,  高尾 滋良
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-006002
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206576
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：

【要約】【目的】 引上げ室天井と円筒との接触部の熱伝導性を向上させ、該円筒の熱遮蔽効果を向上できるシリコン単結晶の製造装置を提供する。【構成】 引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単結晶の製造装置において、水冷される引上げ室天井部と該円筒との接触部の熱伝導性を向上させる処置を加えた円筒保持部材を設けたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置である。【効果】 単結晶インゴットのOSF密度(特に8インチ結晶において)の低減を実現することができる。

請求項（抜粋）：

引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単結晶の製造装置において、水冷される引上げ室天井部と該円筒との接触部の熱伝導性を向上させる処置を加えた円筒保持部材を設けたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208