特許
J-GLOBAL ID：200903060529527819

ウェーハ洗浄方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
小寺 雅子

小寺 雅子 について

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宮下 直人

宮下 直人 について

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松井 嘉孝

松井 嘉孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-175387
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358111
出願日： 2000年06月12日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハ処理工程において、次工程へ移る前に半導体基板上にCu配線を形成するCMP処理などの前工程で付着した有機物をウェーハ表面から有効に除去するウェーハ洗浄方法を提供する。【解決手段】 有機物を含む汚染物が残留するウェーハ32上にアノードイオン水などのOHラジカルを含む水などの機能水を供給し、これに、例えば、1MHz以上の超音波振動40を与えて洗浄する。また半導体基板にCu配線を形成する工程において、CMP処理を行ったCu配線上及びCu配線が埋め込まれた層間絶縁膜上に残留する研磨剤成分のうちの有機物もしくはCMP処理後の銅の防食を目的として意図的に付けた有機物を次工程の成膜処理前に除去する際に、半導体基板上に機能水を供給し、機能水を供給している間に超音波洗浄を行う。Cu配線表面及び絶縁膜表面の有機汚染物を効果的に除去できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハ主面にCMP処理を施す工程と、前記CMP処理を行った半導体ウェーハ主面を機能水により洗浄する工程と、前記洗浄工程中に前記機能水に超音波振動を与える工程とを具備したことを特徴とするウェーハ洗浄方法。
IPC (9件)：
H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 642 ,  B08B 3/08 ,  B08B 3/12 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (9件)：
H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 642 E ,  B08B 3/08 Z ,  B08B 3/12 A ,  H01L 21/306 Z ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 M ,  H01L 27/08 321 F
Fターム (67件)：
3B201AA02 ,  3B201BB42 ,  3B201BB83 ,  3B201BB93 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033NN32 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033RR23 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033TT08 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F033XX25 ,  5F033XX34 ,  5F043AA40 ,  5F043BB27 ,  5F043DD16 ,  5F043DD19 ,  5F043EE27 ,  5F043GG03 ,  5F048AB03 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14
引用特許：
審査官引用 (1件)

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