特許
J-GLOBAL ID:200903060532648309
炭素構造体及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
山本 秀樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-096815
公開番号(公開出願番号):特開2007-269545
出願日: 2006年03月31日
公開日(公表日): 2007年10月18日
要約:
【課題】 層間距離を黒鉛より広く維持し、He法による密度および嵩密度の高い炭素構造体及びその製造方法を実現する。【解決手段】本発明の炭素構造体は、酸化黒鉛の焼成により共有結合した酸素の一部を取り除き、XRD(X線回析)の回折パターンのピークが19°から26°の範囲に有しているとともに、He法による密度が1.4g/cm3以上、体積固有抵抗値が1Ω・cm以下であることを特徴としている。また、以上の炭素構造体は構成成分が少なくとも炭素および酸素からなり、酸素の割合が約1から25wt%である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
酸化黒鉛の焼成により共有結合した酸素の一部を取り除いたもので、XRD(X線回析)測定での回折パターンのピークが少なくとも19°から26°の範囲に有しているとともに、He法での測定密度が1.4g/cm3以上、かつ体積固有抵抗値が1Ω・cm以下であることを特徴とする炭素構造体
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (27件):
4G146AA02
, 4G146AA15
, 4G146AC07A
, 4G146AC07B
, 4G146AC13A
, 4G146AC16A
, 4G146AC16B
, 4G146AC17A
, 4G146AC17B
, 4G146AC20A
, 4G146AC20B
, 4G146AC22A
, 4G146AC22B
, 4G146AC27A
, 4G146AC27B
, 4G146AD22
, 4G146AD25
, 4G146AD32
, 4G146BA02
, 4G146BB12
, 4G146BC02
, 4G146BC23
, 4G146BC25
, 4G146BC32B
, 4G146BC33B
, 4G146BC37A
, 4G146BC37B
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