特許

J-GLOBAL ID：200903060540553082

強誘電体容量で用いる電極のスパッタ成長方法

発明者： 井上 尚也 ,  林 喜宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-261737
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091270
出願日： 1998年09月16日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は、強誘電体メモリセルに用いる電極のスパッタ成長方法に関し、良好な容量特性を保つ温度で、連続的に、しかも簡便に成膜するスパッタ成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】 下部電極、強誘電体膜及び上部電極から構成される強誘電体容量における上部及び下部電極の少なくとも一方の電極に用いられる金属及びこの金属酸化物の両方からなる導電性積層膜のスパッタ成長方法であって、酸素含有のスパッタガス組成を変えずに、直流入力電力のみ変化させることにより、導電性積層膜の組成を連続的に制御するスパッタ成長方法。

請求項（抜粋）：

下部電極、強誘電体膜及び上部電極から構成される強誘電体容量における上部及び下部電極の少なくとも一方の電極に用いられる金属及びこの金属酸化物の両方からなる導電性積層膜のスパッタ成長方法であって、酸素含有のスパッタガス組成を変えずに、直流入力電力のみ変化させることにより、導電性積層膜の組成を連続的に制御するスパッタ成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/285 S ,  H01L 21/203 S ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (22件)：

4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104GG16 ,  5F083AD14 ,  5F083FR01 ,  5F083GA29 ,  5F083JA02 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F103AA08 ,  5F103BB56 ,  5F103BB57 ,  5F103DD28 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103LL20 ,  5F103NN01 ,  5F103NN03 ,  5F103NN04 ,  5F103PP13