特許
J-GLOBAL ID：200903060546466980
プレーナ型バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224114
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078834
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【構成】 基板1と、この基板1上にn+ GaAsコレクタコンタクト層2、nGaAsコレクタ層3、p+ GaAsベース層4、nAlGaAsエミッタ層5およびn+ InGaAsエミッタコンタクト層6が順次形成された素子領域と、この素子領域にイオン注入により形成された素子分離領域10および水素の結晶内取り込みにより形成された高抵抗領域9とを具備する。【効果】 本発明によれば、歩留まりが向上し、さらに故障の少ないプレーナ型へテロ接合バイポーラトランジスタを得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された第一導電型の第一の層、第二導電型の第二の層および第一導電型の第三の層が順次形成された素子領域と、前記第一導電型の第三の層の表面に水素、燐あるいは弗素の半導体結晶内取り込みで前記素子領域を囲むように形成された高抵抗領域と、この高抵抗領域に囲まれた前記素子領域最上層および前記高抵抗領域表面にまたがって形成された電極とを具備することを特徴とするプレーナ型バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
