特許

J-GLOBAL ID：200903060547526501

無鉛半田合金およびそれを用いた電子部品

発明者： 泉田 耕市 ,  高野 勇亀 ,  阿部 一志 ,  盛林 俊之 ,  萩尾 浩一 ,  竹中 順一
出願人/特許権者： スミダコーポレーション株式会社 ,  スミダテクノロジーズ株式会社 ,  株式会社ニホンゲンマ
代理人 (1件)： 細井 勇
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2001007488
公開番号（公開出願番号）：WO2003-020468
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月13日
要約：

銅または銅の合金を芯線とする絶縁被膜電線を用いて構成され、隣接する端子間の間隔が狭い電子部品において、前記絶縁被膜電線と前記端子とを半田付けする際に、断線を防止し、かつ、端子間が短絡するブリッジ現象の発生を防止する。銅(Cu):3.0〜5.5wt%と、ニッケル(Ni):0.1〜0.5wt%およびゲルマニウム(Ge):0.001〜0.1wt%のを含み、残部が錫(Sn)からなる無鉛半田合金により銅を母材とする絶縁被膜電線と端子部(接続部)との半田付けを行う。

請求項（抜粋）：

銅(Cu):3.0〜5.5wt%と、ニッケル(Ni):0.1〜0.5wt%およびゲルマニウム(Ge):0.001〜0.1wt%を含み、残部が錫(Sn)である無鉛半田合金。

IPC (3件)：

B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

FI (3件)：

B23K35/26 310A ,  C22C13/00 ,  H05K3/34 512C