特許
J-GLOBAL ID：200903060549461989
半導体製造方法及び半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329929
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153798
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】配線パターンが形成された基板上に、表面にバンプが形成された半導体チツプをフエイスダウンで実装した回路基板上の上記半導体チツプを封止する半導体製造方法において、短時間で半導体チツプの薄膜にダメージを与えずに短時間で半導体チツプ及び基板を洗浄すると共に短時間で完全に樹脂を封入する。【構成】半導体チツプと基板にツールを密着させ、半導体チツプと基板の間隙に対し、ゲートとエアベントを設けることにより、半導体チツプと基板の間隙に封止樹脂を圧入できる。このため、封止樹脂を半導体チツプと基板の間隙に速く確実に封入することが可能となる。また、同様に半導体チツプと基板の間隙に洗浄液をゲートより注入することにより、間隙に強制的に循環させることができる。このため、半導体チツプと基板の間隙を確実に速く洗浄することが可能となる。
請求項（抜粋）：
配線パターンが形成された基板上に、表面にバンプが形成された半導体チツプをフエイスダウンで実装した回路基板上の上記半導体チツプを封止する半導体製造方法において、上記半導体チツプの側面及び上記基板に密着し、少なくとも1つの封止樹脂注入用ゲートと少なくとも1つの空気抜きのエアベントとを持つツールを上記半導体チツプ及び上記基板に密着させた状態で上記ゲートより樹脂を注入することにより、上記半導体チツプ及び上記基板間に樹脂を注入及び封止することを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
