特許

J-GLOBAL ID：200903060550103808

半導体基板の製造法

発明者： 関根 浩良
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-337229
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181067
出願日： 1995年12月25日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：

【要約】【課題】 ポリイミド前駆体組成物を半導体基板にスピン塗布し、熱処理して得られるポリイミド系樹脂膜の半導体基板周縁部の盛り上がりを容易に除去し、半導体基板面内のポリイミド系樹脂膜の厚みを均一にする半導体基板の製造法を提供する。【解決手段】 半導体基板の表面にポリイミド前駆体組成物をスピン塗布し、さらに熱処理してポリイミド系樹脂膜を形成した後、該基板の周縁部のポリイミド系樹脂膜の盛り上がりをさらに該基板を回転させながら洗浄液で洗い落して除去することを特徴とする半導体基板の製造法。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にポリイミド前駆体組成物をスピン塗布し、さらに熱処理してポリイミド系樹脂膜を形成した後、該基板の周縁部のポリイミド系樹脂膜の盛り上がりをさらに該基板を回転させながら洗浄液で洗い落して除去することを特徴とする半導体基板の製造法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  B05D 1/40 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/312 B ,  B05D 1/40 A ,  H01L 21/30 577