特許
J-GLOBAL ID：200903060550295707
磁気記憶装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-099388
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311513
出願日： 2003年04月02日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】高い信頼性を有する磁気記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ビット線17と、TMR素子50に磁界を加えてデータを書き換えるライト線15とを備え、ビット線およびライト線は、TMR素子50を上下から挟むように位置し、ビット線およびライト線の少なくとも一方は、平面的に見て少なくとも磁気抵抗効果素子と重なる部分において、論理回路部における同じ層の金属配線層19bよりも厚い増厚部17a,17bを有する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
論理回路部と、磁気抵抗効果に基づいてデータを記憶する磁気抵抗効果素子を含むメモリセル部とを備えた磁気記憶装置であって、
前記磁気抵抗効果素子を選択する素子選択用トランジスタに電気的に接続するビット線と、
前記磁気抵抗効果素子に磁界を加えてデータを書き換えるライト線とを備え、
前記ビット線およびライト線は、前記磁気抵抗効果素子を上下から挟むように位置し、前記ビット線およびライト線の少なくとも一方は、平面的に見て少なくとも前記磁気抵抗効果素子と重なる部分において、前記論理回路部における同じ層の金属配線層よりも厚い増厚部を有する、磁気記憶装置。
IPC (4件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L27/10
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01L27/10 481
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083NA08
, 5F083PR40
