特許
J-GLOBAL ID：200903060550802757
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-263267
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074810
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 多結晶シリコン薄膜トランジスタを水素にさらして処理するのに用いられる高密度水素プラズマ(電子サイクロトロン共鳴マイクロ波プラズマ等)の絶縁層へのダメージを遮断するとともに、アンドープの多結晶シリコン層4に水素を十分に供給する。【構成】 薄膜多結晶シリコン層4の上に絶縁保護膜17を形成した後、基板全面を多結晶シリコン層15で覆い、この状態でプラズマ処理8し、その後、金属層6を形成し、金属層6と多結晶シリコン層15とを同時にパターニングしてトランジスタのソース・ドレイン電極を得る。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上にトランジスタのチャネルとなる薄膜多結晶シリコン層を形成した後、絶縁保護膜を形成してプラズマ処理を行う半導体装置の製造方法において、絶縁性基板上に形成された薄膜多結晶シリコン層上の所定領域に絶縁保護膜を形成する工程と、上記絶縁保護膜が形成された基板全面を多結晶シリコン層で覆う工程と、上記多結晶シリコン層で覆われた基板をプラズマ処理して上記薄膜多結晶シリコンの結晶状態を改善する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/316
, H01L 21/324
, H01L 27/12
