特許

J-GLOBAL ID：200903060552084118

半導体レーザ素子および半導体レーザ装置

発明者： 岡田 直忠
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238015
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050823
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザアレイから出射されたレーザ光を微小領域に好適に集光すること。【解決手段】 半導体レーザアレイ11の各レーザ発光部から出射されたレーザ光L3をコリメートするためのフレネルレンズパターン18を、エッチングを用いて各レーザ発光部に対応して形成させることにより、従来よりも集光性能を高めることが可能になる。

請求項（抜粋）：

複数のレーザ発光部が活性層に沿って配列される半導体レーザアレイと、前記レーザ発光部に対向して配設されており前記レーザ発光部から出射されたレーザ光をコリメートする光学素子とを備える半導体レーザ素子において、前記光学素子には、前記各レーザ発光部から出射されたレーザ光を、前記レーザ発光部の配列方向およびその垂直方向に屈折させるフレネルレンズパターンが、前記配列方向と平行に複数形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (3件)：

H01S 5/022 ,  G02B 3/08 ,  H01S 5/40

FI (3件)：

H01S 5/022 ,  G02B 3/08 ,  H01S 5/40

Fターム (6件)：

5F073AB05 ,  5F073AB27 ,  5F073AB28 ,  5F073BA09 ,  5F073EA24 ,  5F073FA06