特許
J-GLOBAL ID：200903060552550941
積層型固体撮像装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174292
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115184
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 積層型固体撮像装置における高感度化と低残像化の両立と低クロストーク化を実現する。【構成】 電気的信号を蓄積する蓄積部602と、電気的信号を読み出すための読み出し手段603と、前記蓄積部に接続して形成された接続体605と、キャリア増倍層607、光吸収層608、第2導電型の電荷注入阻止層609、を積層して構成される非単結晶半導体からなる光導電膜を有し、前記接続体605は第2導電型半導体層605-2で周囲を覆われた、真性、もしくは低不純物濃度を有する第1導電型の半導体層605-1を有する積層型固体撮像装置及び該積層型固体撮像装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
電気的信号を蓄積する蓄積部と電気的信号を読み出すための読み出し手段を有する半導体回路基板と、前記蓄積部の少なくとも一部分を除いて前記半導体回路基板上に形成された絶縁層と、前記蓄積部に接続して形成された接続体と、前記絶縁層と前記接続体上に積層された光導電膜とを有し、上記光導電膜は、キャリア増倍層、光吸収層、第2導電型の電荷注入阻止層、を積層して構成される非単結晶半導体を有し、前記接続体は第2導電型の第2半導体領域で周囲を覆われた真性、もしくは低不純物濃度を有する第1導電型の第1半導体領域を有することを特徴とする積層型固体撮像装置。
IPC (2件)：
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