特許

J-GLOBAL ID：200903060555769227

低温焼結型誘電体磁器の製造方法

発明者： 鈴木 靖生 ,  遠藤 一明 ,  小島 暢 ,  石黒 靖江 ,  河西 孝之
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239041
公開番号（公開出願番号）：特開平7-069719
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月14日
要約：

【要約】【目的】 内部電極材を含んだ構造の各種の誘電体部品を焼成できるような、低温焼結型で、且つ高誘電率を呈する誘電体磁器を製造する。【構成】 主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67.5〜72モル%、Nd2 O3 が15〜18モル%であり、副成分としてBi2 O3 が5〜11重量%、Al2 O3 が0.3〜1重量%であるBa-Ti-Nd-Bi-Al系の誘電体材料に、ガラス材料を添加し、粉体の平均粒径を0.1μm以下に調整して、900〜1100°Cで焼成する。ガラス材料としては、SiO2 が30〜45重量%、B2 O3 が10〜20重量%、BaOが38〜48重量%である組成が好ましい。それを前記誘電体材料に対して1〜50容積%添加するのが望ましい。

請求項（抜粋）：

主成分としてBaOが10〜16モル%、TiO2 が67.5〜72モル%、Nd2 O3 が15〜18モル%であり、それに対し副成分としてBi2 O3 が5〜11重量%、Al2 O3 が0.3〜1重量%であるBa-Ti-Nd-Bi-Al系の誘電体材料に、ガラス材料を添加し、粉体の平均粒径を0.1μm以下に調整して、900〜1100°Cで焼成することを特徴とする低温焼結型誘電体磁器の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/46 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 303

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-322008
  
• 誘電体磁器組成物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-334106   出願人：株式会社村田製作所