特許

J-GLOBAL ID：200903060556060264

薄膜形成方法及び薄膜形成装置

発明者： 松田 哲朗 ,  早坂 伸夫 ,  見方 裕一 ,  米倉 明道 ,  岡野 晴雄 ,  竹内 弘幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-286732
公開番号（公開出願番号）：特開平6-108256
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は、パーティクルの発生を防止できる薄膜形成方法を提供することを目的とする。【構成】シリコンウェハ2が収容された反応室1内にTEOSとオゾンとを導入し、反応室1の外部に設けられた抵抗加熱ヒータ16により、TEOSとオゾンとを加熱して化学反応によりシリコンウェハ2上に二酸化シリコン膜を形成するに際し、反応室1の内壁の温度がシリコンウェハ2の温度より低い条件で二酸化シリコン膜を形成する。

請求項（抜粋）：

被成膜基板が収容された反応室内に原料ガスを導入し、前記反応室の外部に設けられた熱エネルギー供給源から前記原料ガスに熱エネルギーを与え、前記原料ガスの化学反応により前記被成膜基板上に薄膜を形成するに際し、前記反応室の壁部を冷却することにより、前記反応室の内壁の温度を前記被成膜基板の温度より低くすることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-179076
  
• 特開平3-177024
  
• 特開平1-298725